etch相关论文
In order to obtain an optimized method for low etch damage,the different etch gas for extended wavelength In0.83Ga0.17As......
介绍了一种用布拉格光纤光栅制作啁啾光纤光栅的方法。采用氢氟酸腐蚀布拉格光纤光栅,使光栅的横截面沿光栅轴向逐渐变小,然后对光......
提出一种基于纳米膜涂覆的外包层腐蚀双包层光纤(DCF)复合结构传感器。该结构可以通过调控腐蚀时间和纳米膜涂覆厚度来改变传感器......
The nature of the native oxides formed on thesurface layer of amorphous alloy Ni_(64)P_(20)Fe_(16)hasbeen studied by X-......
In this paper,we report a feasible route of growing epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) substrate in a low pressure of 4......
According to the plasma dispersion effect of silicon(Si),a silicon-on-insulator(SOI) based variable optical attenuator(V......
An all-fiber acousto-optic modulator(AOM), which features a compact structure and a low-driving voltage, is experimental......
It has been found that the silicon nanowires modified with noble metals can be used to fabricate an effective H2 gas sen......
该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究.在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)......
采用X射线衍射法分析了防眩光玻璃蚀刻过程中生成晶体的种类;用X射线光电子能谱仪比较分析了反应前后玻璃表面化学成分的变化;用光......
本文介绍了石英膜盒的工作原理，结构和制造工艺。...
从经典的晶体范体形变的理论模型和面心立方闪锌矿结构晶体所具有的滑移特性出发，对碲锌镉晶体经特定化学试剂侵蚀后在（１１１）和（１－↑１－↑１－↑）面上......
采用硝酸-磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐......
本文通过对蚀刻工序在真空荧光显示屏VFD(vacuum fluorescence display)薄膜线路板制造中的连线问题进行研究,从对蚀刻液配比与加......
Charged particle diagnosis is an important aspect of laser–plasma experiments conducted at super-intense laser faciliti......
In this study, we used strippable LR 115 type 2 which is a Solid State Nuclear Track Detector (SSNTD) widely known for r......
外延卤化银乳剂一般都是在有机调变剂作用下制备出来的,而有机调变剂会给乳剂体系带来一些不利因素。本文中用无机酸盐KSCN作外延......
电流崩塌效应是限制AlGaN／GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素，文中从器件研制的角度研究了AlGaN／GaN HFET的电流崩塌效应。研究结......
介绍了硅尖的制备及其在传感器技术中的应用.硅尖的制备方法可与现代IC工艺兼容且易削尖,故比其它材料微尖更实用.硅尖的应用随着......
论述了陶瓷金相样品的制备和显微组织结构，介绍高性能陶瓷金相研究过程中的各个环节以及研究中的难点－样品浸蚀技术，目的在于了解，研究......
金属电阻是影响大尺寸TFT—LCD信号延迟的关键因素。研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺，发现在完成有源......
在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板制程中,Gate层(栅极)电路和SD层(源极)电路根据产品电阻等要求可以使用纯金属膜层,如钼、铜......
在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板制程中,Gate层(栅极)电路和SD层(源极)电路根据产品电阻等要求可以使用纯金属膜层,如钼、铜......
ＭＯＣＶＤ用高压汞灯对ｎ－ＧａＮ处延层进行了辐照湿法化学刻蚀研究，这种外延怪是在Ａｌ２Ｏ３衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的。结果表明：在紫外光照下，ｎ－ＧａＮ层在２５％的ＫＯＨ水溶液中腐蚀较有......
隧道型腐蚀扩面技术是制造高比容中高压阳极箔的最经济、最有效的方法．中高压隧道型腐蚀的前处理中添加助剂可以使腐蚀孔分布更加均......
针对重离子辐射的CR-39固体核径迹探测器中的微观径迹结构特点和剂量特征研究的必要步骤———探测器观测,从CR-39中粒子潜径迹形......
采用Ｘ射线衍射、Ｘ射线双晶衍射和Ｘ射线荧光三种手段对经Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１６：１：１和３：１：１腐蚀液，在不腐蚀条件下得到的ＧａＡｓ片子进行近表层结晶完整性、片子表面的残留产物......
简介了碳纤维复合材料（CFRP）材料表面金属化的工艺过程，采用CrO3-H2SO4溶液对CFRP进行蚀刻处理，通过扫描电镜观测经蚀刻处理后的树脂表......
目的：研究两种表面处理对铸造纯钛桩固位力的影响。方法：将铸造纯钛桩的表面分为喷砂组、酸蚀组、对照组（未喷砂组）,用树脂水门汀将桩......
本文提出了一种判别(001)晶片[110]和[ ]方向的简便方法。将去掉机械划痕的 InP 衬底放入浓 HCl,发现腐蚀出的条形沟方向是和片子......
在CdTe与金属背电极间形成稳定的低电阻接触,有助于提高CdTe太阳电池性能。采用硝酸-冰乙酸腐蚀CdTe薄膜并用真空蒸发法沉积铜背接......
本文报告了玻璃介质钨丝阵列场发射阴极欧姆接触的三种制造方法，以及场发射尖端阵列的锐化工艺—提拉法和倒提拉法。同时给出了锐化......
提出了一种基于面向服务架构（SOA）的分布式开放控制系统模型。整个参考模型由设备抽象层、基本控制模块层、服务层和应用层四层组成......
为了改善PVDF膜对地表水的分离效果,以聚偏氟乙烯（PVDF）为聚合物、聚乙烯吡咯烷酮（PVP-K30）为致孔剂、N,N-二甲基乙酰胺（DMAc）为溶剂配制......
目的:观察脉冲Nd:YAG激光蚀刻牙硬组织后增加与复合树脂结合力的临床效果方法:观察组采用脉冲Nd:YAG激光照射窝洞后进行光固化治疗......
通过光学显微镜对点状籽晶法生长的KDP晶体（100）面位错蚀坑的观察和分析，发现柱区的位错线走向不同于片状籽晶法生长的晶体。晶体的位......
设计了一种简单的掩模,并通过控制蚀刻液的喷淋压力进行了平滑阵列微结构研究。研究发现,蚀刻液喷淋压力对微结构的加工形貌有显著......
针对CrMo钢的脆化问题，选择了一种新的侵蚀剂对其进行晶界腐蚀实验研究，并对影响侵蚀实验的主要因素（苦味酸浓度、硝酸浓度和时间）做了......
文章对PCB阻抗超差问题进行了分析，主要描述了该问题形成的要素和原因．并提出相对应的改善措施。......
采用化学气相沉积法（CVD）,在溅射了镍薄膜的硅基底上制备了定向碳纳米管薄膜。对镍薄膜的氨气预处理过程及其机理进行了研究。结果发......
Patterning Defect Study for Process Integration Engineering Using Pattern Fidelity Monitoring with R
Normally the optical wafer inspection tools are used for advanced process control in high volume manufacturing of semico......
采用水溶液法在电沉积的ZnO种子层上制备了高度取向的ZnO纳米棒阵列．并通过碱溶液化学腐蚀法获得了ZnO纳米管。对ZnO纳米棒和纳米管......
介绍了一种在５￣２０μｍ厚的环苯丁烯树脂（ＢＣＢｓ）胶片上形成通道的掩膜工艺方法，并提供了必要的实验数据。......
目的测定应用不同氟处理方法对托槽抗剪强度影响对比。方法挑选因正畸需要而拔除的96颗双尖牙，随机分为对照组、酸蚀前加氟组、酸蚀......
研究了高压大电流SF6激光触发开关在使用过程中透镜污染的问题,通过对激光触发开关中被污染透镜透过率的测量、透镜表面附着物的分......
晶体的质量是其元器件制备的关键之一，蚀坑密度（EPD）的观测是检验晶体质量的一个重要方法．用改进的Bridgman法长长出AgGa2-xInxSe2（x=0．2......
Conducting all-in-one etch process for 3D-NAND fabrication requires close etch rate(E/R)for SiO2 and Si3N4;however,to at......
The continually increasing number of silicon oxide(SiO2)and nitride(Si3N4)layers in 3D-NAND offers both motivations and ......
The present work measured the bulk etch rate (VB?) of solid state nuclear track detector by taking the diameter time mea......
